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結(jié)構(gòu)優(yōu)勢:超薄扁平探頭設(shè)計,最小可適配0.5mm以下的縫隙空間,加長型可深入50mm深腔,無需拆解被測設(shè)備即可完成測量,避免對被測對象造成損傷;
精度表現(xiàn):具備±0.5%的高精度測量能力,可捕捉微觀磁場的細(xì)微變化,適配研發(fā)標(biāo)定、精密調(diào)試等高精度需求;
效率優(yōu)勢:適配工裝化批量測量,單顆微小磁體測量時間僅需2秒,每小時可完成1800顆以上抽檢,兼顧精度與效率;
適配場景:核心覆蓋“狹窄空間、微小磁體、深腔部位"三大類測量需求,不適用于大空間、低精度要求的常規(guī)磁場測量(此類場景建議選用常規(guī)探頭,成本更低)。
選型維度 | FC-075標(biāo)準(zhǔn)型 | FC-075L加長型 |
|---|---|---|
前端長度 | 約18mm | 約50mm |
核心適配場景 | 淺腔、表面狹窄縫隙(如揚聲器磁路縫隙、微型磁體表面、電路板周邊) | 深腔、長距離狹窄空間(如電機氣隙、深槽繞組間隙、屏蔽罩內(nèi)部深位) |
典型應(yīng)用案例 | 微型磁編碼器標(biāo)定、手機揚聲器調(diào)試、電子設(shè)備漏磁檢測、微小磁體質(zhì)檢 | 永磁同步電機氣隙測量、大型變壓器繞組間隙檢測、深腔器件內(nèi)部磁場測量 |
選型關(guān)鍵判斷 | 測量點深度≤20mm,且無需長距離伸入 | 測量點深度>20mm,或常規(guī)長度無法觸及的深腔/深槽部位 |
精度要求:若為研發(fā)標(biāo)定、核心部件調(diào)試等場景(如磁編碼器標(biāo)定),需確認(rèn)探頭精度是否匹配±0.5%的需求;若為常規(guī)抽檢,可結(jié)合設(shè)備整體精度要求綜合判斷;
批量需求:批量質(zhì)檢場景(如微型磁鋼抽檢)需搭配工裝使用,選型時需確認(rèn)探頭安裝適配性,避免因結(jié)構(gòu)問題影響測量效率;
環(huán)境因素:若在高溫、潮濕等特殊環(huán)境下測量,需提前確認(rèn)探頭的環(huán)境適配范圍(如工作溫度、防護等級),避免損壞設(shè)備。
選型建議:優(yōu)先選用FC-075L加長型,適配電機定子與轉(zhuǎn)子間0.5-1mm氣隙及變壓器深槽繞組間隙測量;
操作要點:① 無需拆解設(shè)備,將加長探頭沿氣隙圓周均勻布置8-12個測量點,避免探頭與金屬部件劇烈摩擦;② 測量時保持探頭與磁場方向垂直,確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性;
效果驗證:通過數(shù)據(jù)對比,若氣隙磁場均勻性偏差≤5%,則符合設(shè)計要求(如某案例中優(yōu)化后均勻性提升12%,振動噪聲顯著降低)。
選型建議:選用FC-075標(biāo)準(zhǔn)型,適配直徑≤10mm的微型器件內(nèi)部測量;
操作要點:① 搭配三維移動臺,將探頭緩慢插入器件內(nèi)部,避免觸碰磁環(huán);② 對N/S極交替區(qū)域逐點測量,點間距設(shè)為0.1-0.2mm,確保捕捉磁場變化細(xì)節(jié);③ 重復(fù)測量3次,取平均值減少誤差;
效果驗證:若測量精度≥±0.5%,且輸出信號波動≤2%,則標(biāo)定合格(如某案例中保障了自動化設(shè)備定位精度)。
選型建議:選用FC-075標(biāo)準(zhǔn)型,適配0.5mm左右的磁路與音圈縫隙;
操作要點:① 測量前固定揚聲器位置,避免測量過程中器件移位;② 沿縫隙軸向與徑向分別測量,重點記錄音圈中心及邊緣位置磁場數(shù)據(jù);③ 對比不同磁鋼布局方案的磁場分布曲線;
效果驗證:優(yōu)化后低頻失真度降低≥3dB,音質(zhì)層次感提升(如某案例中音質(zhì)飽滿度顯著改善)。
選型建議:選用FC-075標(biāo)準(zhǔn)型,搭配定制工裝實現(xiàn)自動化測量;
操作要點:① 工裝定位磁體,確保探頭與磁體表面垂直,測量距離固定為0.5mm;② 設(shè)定合格閾值(如磁場強度±5%偏差),超出閾值自動報警;③ 每測量50顆磁體后校準(zhǔn)探頭一次,保障穩(wěn)定性;
效果驗證:單顆測量時間≤2秒,抽檢合格率與人工復(fù)核一致,漏檢率≤0.5%(如某案例中每小時抽檢1800顆,高效排查充磁不良品)。
選型建議:選用FC-075標(biāo)準(zhǔn)型,適配電路板、屏蔽罩內(nèi)部等狹窄空間;
操作要點:① 穿過屏蔽罩小孔或縫隙插入探頭,避免損壞屏蔽結(jié)構(gòu);② 沿芯片周邊、線纜接口等重點區(qū)域掃描,掃描步長設(shè)為0.5mm;③ 記錄漏磁峰值位置及數(shù)值;
效果驗證:改進(jìn)后漏磁峰值降低≥80%,設(shè)備EMI測試通過率≥95%(如某案例中通過率從85%提升至98%)。
探頭保護:探頭前端為精密結(jié)構(gòu),避免撞擊、彎折或接觸腐蝕性液體;測量金屬表面時,輕放輕取,防止劃傷探頭;
校準(zhǔn)要求:新探頭使用前需校準(zhǔn);日常使用中,每3個月校準(zhǔn)一次,若測量數(shù)據(jù)波動較大或探頭受撞擊,需立即校準(zhǔn);
環(huán)境控制:避免在強電磁干擾環(huán)境(如大型變壓器旁)測量,若需在高溫環(huán)境測量,確保溫度不超過探頭額定工作范圍(通常為0-50℃);
數(shù)據(jù)處理:結(jié)合測量場景保留有效小數(shù)位(如研發(fā)場景保留4位,質(zhì)檢場景保留2位),并建立數(shù)據(jù)臺賬,便于追溯與分析。